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BFR 183W H6327 /Infineon Technologies/分立半导体产品
BFR 183W H6327的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:BFR183W

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):12V

频率 - 跃迁:8GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益:18.5dB

功率 - 最大值:450mW

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 15mA,8V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):65mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-70,SOT-323

供应商器件封装:PG-SOT323-3

其它名称:BFR183WH6327XTSA1SP000750422

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